四氟化锗 GeF4  7783-58-6   6N 

是一类重要的无机化合物，在半导体领域，其主要用于掺杂和离子注入环节，四氟化锗可以与乙硅烷气体结合，直接在玻璃基底上制造硅锗微晶，进而用于制造低噪声低温放大器、整流器、振荡器等半导体器件；在光学领域，四氟化锗可作为添加剂用于光学玻璃制造场景，发挥着改善光学玻璃折射率与色散性能作用，还可作为原材料用于光学纤维、光学薄膜制造场景。

三氟化氮   NF3  7783-54-2   

NF3的三个主要用途，一是用作高能化学激光气的氟源，二是作为电子工业(IC)中的蚀刻   剂、清洗剂，三是应用于太阳能光电产业。

NF3其它用途：生产全氟铵盐，用作填充气体以增加灯泡的寿命和亮度，在采矿和火箭技 术中用作氧化剂等。

 三氟化氯    CIF3   7990-91-2

三氟化氯（CIF3）是一种绿色、高效的环保气体，GWP值为零，在芯片制程中是理想的LPCVD清洗气体。

三氟甲烷     CHF3  75-46-7    6N   

一种无色、微味，不导电的气体，是理想的卤代烷替代物。三氟甲烷可用作超临界萃取法溶剂、低温制冷剂。及作为灭火剂和制造四氟乙烯的原料，电子工业等离子体化学蚀刻剂及氟有化合物的原料。用作低温致冷剂及作为灭火剂和制造四氟乙烯的原料。用作低温（-100℃）制冷剂，电子工业等离子体化学蚀刻剂及氟有机化合物的原料。

 二氟甲烷     HFC-32  75-10-5

二氟甲烷是一种拥有零臭氧损耗潜势的冷却剂。二氟甲烷与五氟乙烷可生成一种恒沸混合物（称为R-410A），用作新冷却剂系统中氯氟碳化合物（亦称为Freon）的代替物，主要是替代HCFC-22，作复配中低温混合制冷剂。虽然它是零臭氧损耗潜势，但它有高全球变暖潜能，以每100年时间为基础，其潜能是二氧化碳的550倍

一氟甲烷　 CH3F  593-53-3

作为Si3N4 的各向异性刻蚀气体，对SiO2及Si有较高选择比，在最前端微细结构的刻蚀制程中受到关注，用于3D NAND、DRAM以及Fin-FET半导体器件的制造。

 五氟化磷    F5P  7647-19-0  

五氟化磷是一种常用的半导体刻蚀气体，经常被用于硅基材料的刻蚀和表面处理。它可以快速地从材料表面移除有害的氧化物和有机污染物，同时也能够改变半导体表面的化学和物理特性。

全氟异丁腈  C4F7N 42532-60-5  

4710是SF6的环保型替代物，应用于电力设备绝缘和电弧淬灭，它具有优秀的绝缘性能，使用温度区间宽，相比于SF6可以显著减少对环境的影响。

在一定压力下，纯Novec 4710气体的相对介电强度比SF₆大两倍。这种SF₆替代品，与惰性气体混合时全球变暖潜能值也低，而且臭氧消耗潜能值为零。与SF6相比，这两个方面在减少环境影响方面具有重大意义。4710气体不可燃，用于设计用途时，工人享有很高的安全系数。

六氟丁二烯    685-63-2  C4F6  

六氟丁二烯，也称为全氟丁二烯，简称HFBD，分子式为C4F6。六氟丁二烯是一种合成树脂和含氟物质的重要单体，也可作为蚀刻气应用于半导体行业，具有选择性好、精确度高等优点。此外，相对于传统的全氟烷竖类(PFCs)蚀刻气，六氟丁二烯可应用于高深宽比工艺过程中，对大气和环境的污染相对较小。随着半导体行业的快速发展及当今世界越来越高的环境要求，以相对环保的材料替代广泛使用的PFCs已成为大势所趋。

八氟丙烷  C3F8     76-19-7  

在半导体工业中，八氟丙烷用作等离子蚀刻材料；在医学中，八氟丙烷可用于玻璃体视网膜手术后填充物及超声造影剂；八氟丙烷还可用于制作制冷混合物。        

八氟环丁烷    115-25-3

主要应用于高压绝缘，大规模集成电路蚀刻，制冷剂，气溶胶，电子清洗剂，喷雾剂，热泵工作流体。

含氟激光气        

四氟化碳  CF4  75-73-0

四氟化碳是目前微电子工业中周量最大的等离子体蚀刻气体，广泛用于硅、二氧化硅等薄膜村料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术等方面也有大量应用。

六氟化硫  SF6 2551-62-4  

电子级高纯六氟化硫是一种理想的电子蚀刻剂，被大量应用于微电子技术领域。冷冻工业作为致冷剂，致冷范围可在-45℃～0℃之间。电气工业利用其很高介电强度和良好的灭电弧性能，用作高压开关、大容量变压器、高压电缆和气体的绝缘材料。

氟氮混合气

氟氮混合气是精细化工领域的重要原料，其广泛应用于电子、激光技术、医药塑料等领域，可用于玻璃浸蚀、金属材料、管道的表面钝化处理等。

六氟乙烷 C2F6  76-16-4

1.用作绝缘气、等离子蚀刻剂, 高介电强度泠却剂。

2.用于微电子工业中作等离子蚀刻气体以及器件表面清洗、光纤生产、低温制冷。

六氟乙烷因其无毒无味、高稳定性被广泛应用在半导体制造过程中，例如作为蚀刻剂( Dry Etch).化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition)后的清洗腔体。特别是随着半导体器件的发展，集成电路精度要求越来越高，常规的湿法刻蚀不能满足0.18~0.25um的深亚微米集成电路高精度细线蚀刻的要求。而六氟乙烷作为干法蚀刻剂具有边缘侧向侵蚀现象极微、高蚀刻率及高精确性的优点，可以极好地满足此类线宽较小的制程的要求。特别是当接触到孔径为140nm或更小的元件时原先的八氟环丁烷无法起到蚀刻作用，而六氟乙烷可以在小到110nm的元件上产生一条深凹槽。另外在CVD腔体的清洁气体领域，传统使用的气体是六氟乙烷和四氟甲烷CF4，同时为符合最新的制程规格和生产效率，也导入八氟丙烷CgFg和三氟化氮NF。针对以矽甲烷SiH4为基础的各种CVD制程，作为清洗气体，六氟乙烷比四氟甲烷更具优越性，主要表现在排放性低、气体利用率高、反映窒清洁率和设备产出率高。